Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > PMDPB80XP,115
NXP USA Inc.

PMDPB80XP,115

Номер детали производителя PMDPB80XP,115
производитель NXP USA Inc.
Подробное описание NOW NEXPERIA PMDPB80XP - SMALL S
Упаковка 6-HUSON (2x2)
В наличии 4312 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP USA Inc..У нас есть кусочки 4312 NXP USA Inc. PMDPB80XP,115 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 6-HUSON (2x2)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 102mOhm @ 2.7A, 4.5V
Мощность - Макс 485mW
Упаковка / 6-UFDFN Exposed Pad
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 550pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate, 1.8V Drive
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2.7A
конфигурация 2 P-Channel (Dual)
Базовый номер продукта PMDPB80

Рекомендуемые продукты

PMDPB80XP,115 DataSheet PDF

Ключевые слова для PMDPB80XP,115

Связанные детали для PMDPB80XP,115