Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > PMDPB42UN,115
PMDPB42UN,115 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

PMDPB42UN,115

Номер детали производителя PMDPB42UN,115
производитель NXP USA Inc.
Подробное описание MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
Упаковка 6-HUSON (2x2)
В наличии 6761 pcs
Техническая спецификация PMDPB42UNMultiple Devices 25/Dec/2013All Dev Label Update 15/Dec/2020NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS Cert
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP USA Inc..У нас есть кусочки 6761 NXP USA Inc. PMDPB42UN,115 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 6-HUSON (2x2)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.9A, 4.5V
Мощность - Макс 510mW
Упаковка / 6-UDFN Exposed Pad
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 185pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 3.5nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3.9A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта PMDPB

Рекомендуемые продукты

PMDPB42UN,115 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для PMDPB42UN,115

Связанные детали для PMDPB42UN,115