PDTA115ES,126

Номер детали производителя	PDTA115ES,126
производитель	NXP Semiconductors / Freescale
Подробное описание	TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Упаковка	TO-92-3
В наличии	4415 pcs
Техническая спецификация	PDTA115E

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP Semiconductors / Freescale.У нас есть кусочки 4415 NXP Semiconductors / Freescale PDTA115ES,126 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)	50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic	150mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор	PNP - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства	TO-92-3
Серии	-
Резистор - основание эмиттера (R2)	100 kOhms
Резистор - основание (R1)	100 kOhms
Мощность - Макс	500mW
упаковка	Tape & Box (TB)
Упаковка /	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Свойства продукта	Значение атрибута
Другие названия	934058152126 PDTA115ES AMO PDTA115ES AMO-ND
Тип установки	Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)	1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Подробное описание	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 500mW Through Hole TO-92-3
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)	1µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс)	20mA
Номер базового номера	PDTA115