Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > PDTA115EMB,315
NXP USA Inc.

PDTA115EMB,315

Номер детали производителя PDTA115EMB,315
производитель NXP USA Inc.
Подробное описание NOW NEXPERIA PDTA115EMB - SMALL
Упаковка DFN1006B-3
В наличии 2770547 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
11871
$0.012
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP USA Inc..У нас есть кусочки 2770547 NXP USA Inc. PDTA115EMB,315 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор PNP - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства DFN1006B-3
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 100 kOhms
Резистор - основание (R1) 100 kOhms
Мощность - Макс 250 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SC-101, SOT-883
Упаковка Bulk
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 180 MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 1µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 20 mA
Базовый номер продукта PDTA115

Рекомендуемые продукты

PDTA115EMB,315 DataSheet PDF

Ключевые слова для PDTA115EMB,315

Связанные детали для PDTA115EMB,315