Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > FQT7N10LTF
Fairchild Semiconductor

FQT7N10LTF

Номер детали производителя FQT7N10LTF
производитель Fairchild Semiconductor
Подробное описание POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Упаковка SOT-223-4
В наличии 4482 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 4482 Fairchild Semiconductor FQT7N10LTF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SOT-223-4
Серии QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 850mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2W (Tc)
Упаковка / TO-261-4, TO-261AA
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 290 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 6 nC @ 5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.7A (Tc)

Рекомендуемые продукты

FQT7N10LTF DataSheet PDF