FQT3P20TF-SB82100
| Номер детали производителя | FQT3P20TF-SB82100 |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Подробное описание | MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4 |
| Упаковка | SOT-223-4 |
| В наличии | 6046 pcs |
| Техническая спецификация | FQT3P20MA04A Pkg Drawing |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии AMI Semiconductor / ON Semiconductor.У нас есть кусочки 6046 AMI Semiconductor / ON Semiconductor FQT3P20TF-SB82100 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | SOT-223-4 |
| Серии | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 Ohm @ 335mA, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Tc) |
| упаковка | Cut Tape (CT) |
| Упаковка / | TO-261-4, TO-261AA |
| Другие названия | FQT3P20TF-SB82100CT FQT3P20TF_SB82100CT FQT3P20TF_SB82100CT-ND |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 250pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| Тип FET | P-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 200V |
| Подробное описание | P-Channel 200V 670mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 670mA (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FQT4N20TF
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4onsemi -
FQT4N25TF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0Fairchild Semiconductor -
FQT4N20LTF
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4onsemi -
FQT13N06TF
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4onsemi -
FQT2P25TF
MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4onsemi -
FQT1N80TF-WS
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3onsemi -
FQT5P10TF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQT7N10LTF
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4onsemi -
FQT5P10TF
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4onsemi -
FQT7N10LTF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQT13N06LTF
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4onsemi -
FQT4N25TF
MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4onsemi -
FQT4N20LTF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0Fairchild Semiconductor -
FQT-1
RIVET PUSH 0.470" ACETAL WHITEEssentra Components -
FQT3P20TF
MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4onsemi -
FQT4N20TF
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4Fairchild Semiconductor -
FQT-1BK
RIVET PUSH 0.470" ACETAL BLACKEssentra Components -
FQT1N60CTF
MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4Fairchild Semiconductor -
FQT3P20TF_SB82100
1-ELEMENT, P-CHANNEL POWER MOSFEFairchild Semiconductor -
FQT1N60CTF-WS
MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4onsemi