FDD8782
Номер детали производителя | FDD8782 |
---|---|
производитель | Fairchild Semiconductor |
Подробное описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 |
Упаковка | TO-252, (D-Pak) |
В наличии | 236962 pcs |
Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
588 |
---|
$0.195 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 236962 Fairchild Semiconductor FDD8782 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-252, (D-Pak) |
Серии | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 35A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 50W (Tc) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Bulk |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1220 pF @ 13 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 25 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 35A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FDD8770
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FDD8780
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FDD8750
MOSFET N-CH 25V 6.5A/2.7A DPAKonsemi -
FDD8780
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3onsemi -
FDD8874
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FDD8870
MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AAonsemi -
FDD8778
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AAonsemi -
FDD8878
MOSFET N-CH 30V 11A/40A TO252AAonsemi -
FDD8870
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Fairchild Semiconductor -
FDD8770
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AAonsemi -
FDD8782
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AAonsemi -
FDD8874
MOSFET N-CH 30V 116A D-PAKonsemi -
FDD8876
MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AAonsemi -
FDD8750
MOSFET N-CH 25V 6.5A/2.7A DPAKFairchild Semiconductor -
FDD86581-F085
MOSFET N-CH 60V 25A DPAKonsemi -
FDD8796
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AAonsemi -
FDD8870-F085
FDD8870 - N-CHANNEL POWERTRENCHonsemi -
FDD8878
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FDD8796
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FDD8778
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor