FDD8870-F085
| Номер детали производителя | FDD8870-F085 |
|---|---|
| производитель | onsemi |
| Подробное описание | FDD8870 - N-CHANNEL POWERTRENCH |
| Упаковка | TO-252AA |
| В наличии | 5404 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5404 onsemi FDD8870-F085 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-252AA |
| Серии | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 35A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 160W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 5160 pF @ 15 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 21A (Ta) |
Рекомендуемые продукты
-
FDD8880_F054
1-ELEMENT, N-CHANNEL POWER MOSFEFairchild Semiconductor -
FDD8878
MOSFET N-CH 30V 11A/40A TO252AAonsemi -
FDD8878
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FDD8778
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FDD8874
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FDD8870
MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AAonsemi -
FDD8880-SN00319
FDD8880 - 35A, 30V, N-CHANNEL POonsemi -
FDD8874
MOSFET N-CH 30V 116A D-PAKonsemi -
FDD8870
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Fairchild Semiconductor -
FDD8880
MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AAonsemi -
FDD8796
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FDD8876
MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AAonsemi -
FDD8880
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FDD8782
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FDD8880-G
30V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFETonsemi -
FDD8780
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3onsemi -
FDD8796
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AAonsemi -
FDD8780
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FDD8782
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AAonsemi -
FDD8778
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AAonsemi