FDD2612
| Номер детали производителя | FDD2612 |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252 |
| Упаковка | TO-252, (D-Pak) |
| В наличии | 146321 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 360 |
|---|
| $0.315 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 146321 Fairchild Semiconductor FDD2612 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-252, (D-Pak) |
| Серии | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 720mOhm @ 1.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 42W (Ta) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 234 pF @ 100 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 200 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4.9A (Ta) |
Рекомендуемые продукты
-
FDD26AN06A0
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AAonsemi -
FDD2512
MOSFET N-CH 150V 6.7A TO252Fairchild Semiconductor -
FDD2670
MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252onsemi -
FDD330005
XTAL OSC SEAM5032 SMDDiodes Incorporated -
FDD2572
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AAonsemi -
FDD2570
MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252onsemi -
FDD2570
MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252Fairchild Semiconductor -
FDD2582
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FDD26AN06A0
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AAFairchild Semiconductor -
FDD3510H
MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252onsemi -
FDD2582
MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AAonsemi -
FDD2512
MOSFET N-CH 150V 6.7A TO252onsemi -
FDD300003
XTAL OSC XO SMDDiodes Incorporated -
FDD2572
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4Fairchild Semiconductor -
FDD2572-F085
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AAonsemi -
FDD300004
XTAL OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMDDiodes Incorporated -
FDD306P
MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252onsemi -
FDD2612
MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252onsemi -
FDD26AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AAonsemi -
FDD330003
XTAL OSC XO 133.3300MHZ CMOS SMDDiodes Incorporated