Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > FDD2612
FDD2612 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

FDD2612

Номер детали производителя FDD2612
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252
Упаковка TO-252AA
В наличии 5659 pcs
Техническая спецификация FDD2612onsemi REACHonsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5659 onsemi FDD2612 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-252AA
Серии PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 720mOhm @ 1.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 42W (Ta)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 234 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.9A (Ta)
Базовый номер продукта FDD261

Рекомендуемые продукты

FDD2612 DataSheet PDF

Техническая спецификация