FDB8870-F085
| Номер детали производителя | FDB8870-F085 |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 30V 23A/160A D2PAK |
| Упаковка | D2PAK (TO-263) |
| В наличии | 132887 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 307 |
|---|
| $0.351 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 132887 Fairchild Semiconductor FDB8870-F085 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | D2PAK (TO-263) |
| Серии | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 35A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 160W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 5200 pF @ 15 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 132 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 23A (Ta), 160A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FDB8878
MOSFET N-CH 30V 48A TO263onsemi -
FDB8876
MOSFET N-CH 30V 71A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB8860
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FDB8880
MOSFET N-CH 30V 11A/54A TO263ABonsemi -
FDB8896
MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263ABonsemi -
FDB8870-F085
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263ABonsemi -
FDB8860-F085
FDB8860 - N-CHANNEL LOGIC LEVELFairchild Semiconductor -
FDB8860
MOSFET N-CH 30V 80A TO263ABonsemi -
FDB8860-F085
MOSFET N-CH 30V 80A TO263ABonsemi -
FDB8878
MOSFET N-CH 30V 48A TO263Fairchild Semiconductor -
FDB8896
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8Fairchild Semiconductor -
FDB8874
MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263ABonsemi -
FDB8876
MOSFET N-CH 30V 71A TO263ABonsemi -
FDB8870
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB8832-F085
MOSFET N-CH 30V 34A TO263ABonsemi -
FDB8870
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263ABonsemi -
FDB8880
11A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL,Fairchild Semiconductor -
FDB8880-ON
11A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL,onsemi -
FDB8832
MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263ABonsemi -
FDB8832-F085
FDB8832 - N-CHANNEL LOGIC LEVELFairchild Semiconductor