FDB8832
| Номер детали производителя | FDB8832 |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 |
| Упаковка | D2PAK (TO-263) |
| В наличии | 4391 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 4391 Fairchild Semiconductor FDB8832 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | D2PAK (TO-263) |
| Серии | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 80A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 300W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 11400 pF @ 15 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 265 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 34A (Ta), 80A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FDB86360_SN00307
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAKonsemi -
FDB8832
MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263ABonsemi -
FDB86102LZ
MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263onsemi -
FDB8870
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB8860
MOSFET N-CH 30V 80A TO263ABonsemi -
FDB86363-F085
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAKonsemi -
FDB8860-F085
MOSFET N-CH 30V 80A TO263ABonsemi -
FDB8860-F085
FDB8860 - N-CHANNEL LOGIC LEVELFairchild Semiconductor -
FDB8870
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263ABonsemi -
FDB86566-F085
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAKonsemi -
FDB8870-F085
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263ABonsemi -
FDB86102LZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8Fairchild Semiconductor -
FDB86569-F085
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAKonsemi -
FDB8832-F085
MOSFET N-CH 30V 34A TO263ABonsemi -
FDB86135
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAKonsemi -
FDB8860
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FDB86360-F085
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAKonsemi -
FDB86563-F085
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAKonsemi -
FDB86366-F085
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAKonsemi -
FDB8832-F085
FDB8832 - N-CHANNEL LOGIC LEVELFairchild Semiconductor