FCP11N60
| Номер детали производителя | FCP11N60 |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
| Упаковка | TO-220-3 |
| В наличии | 5430 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 5430 Fairchild Semiconductor FCP11N60 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-220-3 |
| Серии | SuperFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 125W (Tc) |
| Упаковка / | TO-220-3 |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1490 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FCP11N60F
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3onsemi -
FCP0805H821J-J1
CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP11N60N
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FCP110N65F
MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3onsemi -
FCP099N65S3
MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3onsemi -
FCP099N60E
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3Fairchild Semiconductor -
FCP11N60N
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3onsemi -
FCP099N60E
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3onsemi -
FCP104N60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FCP1206C123J-H1
CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP11N60
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3onsemi -
FCP1206C123G-H1
CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP0805H821G-J1
CAP FILM 820PF 2% 50VDC 0805Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP104N60
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3onsemi -
FCP11N65
1-ELEMENT, N-CHANNELFairchild Semiconductor -
FCP11N60N-F102
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220Fonsemi -
FCP1206C123G
CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP104N60F
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3onsemi -
FCP1206C123J
CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP0805H821J
CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805Cornell Dubilier Electronics (CDE)