FCP099N60E
| Номер детали производителя | FCP099N60E |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3 |
| Упаковка | TO-220-3 |
| В наличии | 5389 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 5389 Fairchild Semiconductor FCP099N60E в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-220-3 |
| Серии | SuperFET® II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 18.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 357W (Tc) |
| Упаковка / | TO-220-3 |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3465 pF @ 380 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 37A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FCP0805H561J-J1
CAP FILM 560PF 5% 50VDC 0805Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP11N60F
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3onsemi -
FCP11N60N
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FCP11N60N
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3onsemi -
FCP0805H821G-J1
CAP FILM 820PF 2% 50VDC 0805Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP0805H821G
CAP FILM 820PF 2% 50VDC 0805Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP0805H681G-J1
CAP FILM 680PF 2% 50VDC 0805Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP110N65F
MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3onsemi -
FCP0805H681G
CAP FILM 680PF 2% 50VDC 0805Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP099N60E
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3onsemi -
FCP0805H821J-J1
CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP0805H821J
CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP104N60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FCP0805H681J-J1
CAP FILM 680PF 5% 50VDC 0805Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP104N60F
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3onsemi -
FCP11N60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FCP0805H681J
CAP FILM 680PF 5% 50VDC 0805Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP104N60
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3onsemi -
FCP099N65S3
MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3onsemi -
FCP11N60
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3onsemi