1N459ATR
Номер детали производителя | 1N459ATR |
---|---|
производитель | Fairchild Semiconductor |
Подробное описание | HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIO |
Упаковка | DO-35 (DO-204AH) |
В наличии | 4446247 pcs |
Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
15258 |
---|
$0.008 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 4446247 Fairchild Semiconductor 1N459ATR в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1 V @ 100 mA |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 200 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-35 (DO-204AH) |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Упаковка / | DO-204AH, DO-35, Axial |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Упаковка | Bulk |
Рабочая температура - Соединение | 175°C (Max) |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 25 nA @ 175 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 500mA |
Емкостной @ В.Р., F | 6pF @ 0V, 1MHz |
Рекомендуемые продукты
-
1N4596R
DIODE GP REV 1.4KV 150A DO205AAMicrochip Technology -
1N4607
DIODE GEN PURP 85V 200MA DO35Microchip Technology -
1N459A_S00Z
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35onsemi -
1N459ATR
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35onsemi -
1N4608
DIODE GEN PURP 85V 200MA DO35Microchip Technology -
1N459TR
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35onsemi -
1N459A
HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIOFairchild Semiconductor -
1N459A
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35onsemi -
1N459A
DIODE GEN PURP 200V 150MA DO35Microchip Technology -
1N459A_L99Z
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35onsemi -
1N4596R
DIODE GP REV 1.4KV 150A DO205AAGeneSiC Semiconductor -
1N459A
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35NTE Electronics, Inc -
1N459TR
HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIOFairchild Semiconductor -
1N4607/TR
DIODE GP REV 85V 200MA DO35Microchip Technology -
1N4596R
DIODE GP REV 1.4KV 150A DO205AAPowerex Inc. -
1N4596R
DIODE GP REV 1.4KV 150A DO8Solid State Inc. -
1N459AUR
DIODE GP REV 200V 150MA DO213AAMicrochip Technology -
1N459A/TR
DIODE GP REV 200V 150MA DO35Microchip Technology -
1N459A_T50R
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35onsemi -
1N459AUR/TR
SIGNAL OR COMPUTER DIODEMicrochip Technology