Изображение может быть представлением. см. Раздел для деталей продукта.
1N459A_L99Z
Номер детали производителя
1N459A_L99Z
производитель
onsemi
Подробное описание
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
Упаковка
DO-35
В наличии
5250 pcs
Техническая спецификация
onsemi RoHS 1N459/A
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5250 onsemi 1N459A_L99Z в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта
Значение атрибута
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если
1 V @ 100 mA
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)
200 V
Технологии
Standard
Поставщик Упаковка устройства
DO-35
скорость
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Серии
-
Упаковка /
DO-204AH, DO-35, Axial
Свойства продукта
Значение атрибута
Упаковка
Bulk
Рабочая температура - Соединение
175°C (Max)
Тип установки
Through Hole
Ток - Обратный утечки @ Vr
25 nA @ 175 V
Текущий - средний выпрямленный (Io)
500mA
Емкостной @ В.Р., F
6pF @ 0V, 1MHz
Базовый номер продукта
1N459
Рекомендуемые продукты
1N4611A/TR
TEMPERATURE COMPENSATED
Microchip Technology
1N459ATR
HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIO
Fairchild Semiconductor
1N459A
HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIO
Fairchild Semiconductor
1N4607
DIODE GEN PURP 85V 200MA DO35
Microchip Technology
1N4608
DIODE GEN PURP 85V 200MA DO35
Microchip Technology
1N459AUR/TR
SIGNAL OR COMPUTER DIODE
Microchip Technology
1N459A
DIODE GEN PURP 200V 150MA DO35
Microchip Technology
1N459ATR
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
onsemi
1N459A/TR
DIODE GP REV 200V 150MA DO35
Microchip Technology
1N4611A
TEMPERATURE COMPENSATED
Microchip Technology
1N4596R
DIODE GP REV 1.4KV 150A DO205AA
GeneSiC Semiconductor
1N459A_T50R
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
onsemi
1N459A_S00Z
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
onsemi
1N459TR
HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIO
Fairchild Semiconductor
1N459A
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
onsemi
1N459AUR
DIODE GP REV 200V 150MA DO213AA
Microchip Technology
1N4608/TR
DIODE GEN PURP 85V 200MA DO35
Microchip Technology
1N459A
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
NTE Electronics, Inc
1N459TR
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
onsemi
1N4607/TR
DIODE GP REV 85V 200MA DO35
Microchip Technology
1N459A_L99Z DataSheet PDF
Техническая спецификация
DataShieT File обзор