Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

DMN3732UFB4-7

Номер детали производителя	DMN3732UFB4-7
производитель	Diodes Incorporated
Подробное описание	MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Упаковка	X2-DFN1006-3
В наличии	1637482 pcs
Техническая спецификация	DMN3732UFB4

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000
$0.109	$0.089	$0.047	$0.031	$0.021

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 1637482 Diodes Incorporated DMN3732UFB4-7 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Vgs (макс.)	±8V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	X2-DFN1006-3
Серии	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	460mOhm @ 200mA, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс)	490mW (Ta)
Упаковка /	3-XFDFN
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	40.8 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	0.9 nC @ 4.5 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	1.3A (Ta)
Базовый номер продукта	DMN3732