Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

DMN3730UFB-7

Номер детали производителя	DMN3730UFB-7
производитель	Diodes Incorporated
Подробное описание	MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Упаковка	X1-DFN1006-3
В наличии	658136 pcs
Техническая спецификация	DMN3730UFB DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 Diodes Environmental Compliance Cert

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000
$0.185	$0.159	$0.118	$0.093	$0.072

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 658136 Diodes Incorporated DMN3730UFB-7 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Vgs (макс.)	±8V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	X1-DFN1006-3
Серии	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	460mOhm @ 200mA, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс)	470mW (Ta)
Упаковка /	3-UFDFN
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	64.3 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	1.6 nC @ 4.5 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	750mA (Ta)
Базовый номер продукта	DMN3730