Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > DMN2710UFB-7B
Diodes Incorporated

DMN2710UFB-7B

Номер детали производителя DMN2710UFB-7B
производитель Diodes Incorporated
Подробное описание MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Упаковка X1-DFN1006-3
В наличии 2952388 pcs
Техническая спецификация DMN2710UFB
Справочная цена (В долларах США)
10000
$0.012
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 2952388 Diodes Incorporated DMN2710UFB-7B в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (макс.) ±6V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства X1-DFN1006-3
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 720mW (Ta)
Упаковка / 3-UFDFN
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 42 pF @ 16 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.3A (Ta)
Базовый номер продукта DMN2710

Рекомендуемые продукты

DMN2710UFB-7B DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для DMN2710UFB-7B

Связанные детали для DMN2710UFB-7B