Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

DMN26D0UFB4-7

Номер детали производителя	DMN26D0UFB4-7
производитель	Diodes Incorporated
Подробное описание	MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
Упаковка	X2-DFN1006-3
В наличии	4876 pcs
Техническая спецификация	Subs 2-17-2023 Mult Dev EOL 17/Feb/2022 DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018 Diodes Environmental Compliance Cert Bond Wire 11/Nov/2011 DMN26D0UFB4

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 4876 Diodes Incorporated DMN26D0UFB4-7 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Vgs (макс.)	±10V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	X2-DFN1006-3
Серии	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohm @ 100mA, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс)	350mW (Ta)
Упаковка /	3-XFDFN
Упаковка	Tape & Reel (TR)

Свойства продукта	Значение атрибута
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	14.1 pF @ 15 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	230mA (Ta)
Базовый номер продукта	DMN26