Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SPI70N10L
Infineon Technologies

SPI70N10L

Номер детали производителя SPI70N10L
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Упаковка PG-TO262-3-1
В наличии 5321 pcs
Техническая спецификация SP(I,P,B)70N10LPart Number Guide
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5321 Infineon Technologies SPI70N10L в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 2mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO262-3-1
Серии SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 250W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4540 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 240 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 70A (Tc)
Базовый номер продукта SPI70N

Рекомендуемые продукты

SPI70N10L DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SPI70N10L

Связанные детали для SPI70N10L