Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SPI35N10
Infineon Technologies

SPI35N10

Номер детали производителя SPI35N10
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
Упаковка PG-TO262-3-1
В наличии 6531 pcs
Техническая спецификация SPI,SPP35N10Part Number Guide
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6531 Infineon Technologies SPI35N10 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 83µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO262-3-1
Серии SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 26.4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 150W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1570 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 65 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 35A (Tc)
Базовый номер продукта SPI35N

Рекомендуемые продукты

SPI35N10 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SPI35N10

Связанные детали для SPI35N10