Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI4410DYTRPBF

Номер детали производителя	SI4410DYTRPBF
производитель	Infineon Technologies
Подробное описание	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Упаковка	8-SO
В наличии	5312 pcs
Техническая спецификация	Part Number Guide Mult Dev Label Chgs Aug/2020 Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018 Packing Material Update 16/Sep/2016 Mult Dev EOL 9/Apr/2020

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5312 Infineon Technologies SI4410DYTRPBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	8-SO
Серии	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	2.5W (Ta)
Упаковка /	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка	Tape & Reel (TR)

Свойства продукта	Значение атрибута
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	1585 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	10A (Ta)