Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI4410DYPBF
SI4410DYPBF Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI4410DYPBF

Номер детали производителя SI4410DYPBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Упаковка 8-SO
В наличии 6167 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Tube Pkg Std 27/Dec/2018Package Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev Tube Pkg Disc 12/Jun/2018
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6167 Infineon Technologies SI4410DYPBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SO
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.5W (Ta)
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1585 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10A (Ta)

Рекомендуемые продукты

SI4410DYPBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI4410DYPBF

Связанные детали для SI4410DYPBF