ISZ330N12LM6ATMA1
Номер детали производителя | ISZ330N12LM6ATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V |
Упаковка | PG-TSDSON-8 FL |
В наличии | 207147 pcs |
Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.542 | $0.483 | $0.376 | $0.311 | $0.245 | $0.229 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 207147 Infineon Technologies ISZ330N12LM6ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 11µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TSDSON-8 FL |
Серии | OptiMOS™ 6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 9A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Ta), 43W (Tc) |
Упаковка / | 8-PowerTDFN |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 650 pF @ 60 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 3.3V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 120 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 5.7A (Ta), 24A (Tc) |
Базовый номер продукта | ISZ330 |
Рекомендуемые продукты
-
ISZ75DP15LMATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
ISZ080N10NM6ATMA1
TRENCH >=100V PG-TSDSON-8Infineon Technologies -
ISZ019N03L5SATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSONInfineon Technologies -
ISZ0901NLSATMA1
25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, PInfineon Technologies -
ISZ106N12LM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120VInfineon Technologies -
ISZ0602NLSATMA1
MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSONInfineon Technologies -
ISZ810P06LMATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
ISZ065N03L5SATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSONInfineon Technologies -
ISZ040N03L5ISATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSONInfineon Technologies -
ISZ56DP15LMATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
ISZ034N06LM5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSONInfineon Technologies -
ISZ0702NLSATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSONInfineon Technologies -
ISZ-2510
MEMS GYROSCOPE 1-AXIS 16QFNTDK InvenSense -
ISZ0804NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSONInfineon Technologies -
ISZ0703NLSATMA1
MOSFET N-CH 60V 13A/56A TSDSONInfineon Technologies -
ISZ0803NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSONInfineon Technologies -
ISZ15EP15LMATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
ISZ0501NLSATMA1
25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, PInfineon Technologies -
ISZ24DP10LMATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
ISZ230N10NM6ATMA1
TRENCH >=100V PG-TSDSON-8Infineon Technologies