ISZ0803NLSATMA1
| Номер детали производителя | ISZ0803NLSATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON |
| Упаковка | PG-TSDSON-8-26 |
| В наличии | 212953 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.457 | $0.408 | $0.318 | $0.263 | $0.207 | $0.193 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 212953 Infineon Technologies ISZ0803NLSATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.3V @ 18µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TSDSON-8-26 |
| Серии | OptiMOS™ 5 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.9mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.1W (Ta), 43W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerTDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1000 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 7.7A (Ta), 37A (Tc) |
| Базовый номер продукта | ISZ0803N |
Рекомендуемые продукты
-
ISZ0602NLSATMA1
MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSONInfineon Technologies -
ISZ-2510
MEMS GYROSCOPE 1-AXIS 16QFNTDK InvenSense -
ISZ56DP15LMATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
ISZ0702NLSATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSONInfineon Technologies -
ISZ75DP15LMATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
ISZ0804NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSONInfineon Technologies -
ISZ019N03L5SATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSONInfineon Technologies -
ISZ330N12LM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120VInfineon Technologies -
ISZ0501NLSATMA1
25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, PInfineon Technologies -
ISZ065N03L5SATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSONInfineon Technologies -
ISZ106N12LM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120VInfineon Technologies -
ISZ0901NLSATMA1
25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, PInfineon Technologies -
ISZ080N10NM6ATMA1
TRENCH >=100V PG-TSDSON-8Infineon Technologies -
ISZ15EP15LMATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
ISZ0703NLSATMA1
MOSFET N-CH 60V 13A/56A TSDSONInfineon Technologies -
ISZ040N03L5ISATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSONInfineon Technologies -
ISZ24DP10LMATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
ISZ034N06LM5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSONInfineon Technologies -
ISZ-1655
EVBSTDK InvenSense -
ISZ230N10NM6ATMA1
TRENCH >=100V PG-TSDSON-8Infineon Technologies