Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > IRLHS6376TR2PBF
Infineon Technologies

IRLHS6376TR2PBF

Номер детали производителя IRLHS6376TR2PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Упаковка 6-PQFN (2x2)
В наличии 6859 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013Multiple Devices 13/Nov/2013
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6859 Infineon Technologies IRLHS6376TR2PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 6-PQFN (2x2)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Мощность - Макс 1.5W
Упаковка / 6-VDFN Exposed Pad
Упаковка Cut Tape (CT)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 270pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3.6A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта IRLHS6376

Рекомендуемые продукты

IRLHS6376TR2PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRLHS6376TR2PBF

Связанные детали для IRLHS6376TR2PBF