Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRLHS6342TR2PBF
Infineon Technologies

IRLHS6342TR2PBF

Номер детали производителя IRLHS6342TR2PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
Упаковка 6-PQFN (2x2)
В наличии 5157 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013Multiple Devices 13/Nov/2013
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5157 Infineon Technologies IRLHS6342TR2PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 6-PQFN (2x2)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Упаковка / 6-PowerVDFN
Упаковка Cut Tape (CT)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1019 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8.7A (Ta), 19A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRLHS6342TR2PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация