Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFU3711PBF
Infineon Technologies

IRFU3711PBF

Номер детали производителя IRFU3711PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 20V 100A IPAK
Упаковка IPAK (TO-251AA)
В наличии 4156 pcs
Техническая спецификация IR Part Numbering SystemMultiple Devices 19/Jun/2012
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4156 Infineon Technologies IRFU3711PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства IPAK (TO-251AA)
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2980 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRFU3711PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRFU3711PBF

Связанные детали для IRFU3711PBF