Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFU3710ZPBF
Infineon Technologies

IRFU3710ZPBF

Номер детали производителя IRFU3710ZPBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Упаковка IPAK (TO-251AA)
В наличии 6033 pcs
Техническая спецификация IRFU3709PbFMult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018Mult Device EOL 11/May/2016Mult Dev EOL 15/May/2016Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021IR Part Numbering SystemLeadframe Retraction 03/Jun/2015Assembly Site Add 16/Mar/2017
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6033 Infineon Technologies IRFU3710ZPBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства IPAK (TO-251AA)
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 33A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 140W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2930 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 42A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRFU3710ZPBF DataSheet PDF

Техническая спецификация