Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFS3307PBF
IRFS3307PBF Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRFS3307PBF

Номер детали производителя IRFS3307PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Упаковка D2PAK
В наличии 3973 pcs
Техническая спецификация IR Part Numbering SystemMultiple Devices 25/Apr/2014Material Chg 24/Nov/2015Alternate Assembly Site 11/Nov/2013
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 3973 Infineon Technologies IRFS3307PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 150µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D2PAK
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 75A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 200W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5150 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 180 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 75 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 120A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRFS3307PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRFS3307PBF

Связанные детали для IRFS3307PBF