Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFS31N20DTRL
IRFS31N20DTRL Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRFS31N20DTRL

Номер детали производителя IRFS31N20DTRL
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Упаковка D2PAK
В наличии 4959 pcs
Техническая спецификация IRFB31N20D, IRFS(L)31N20DIR Part Numbering System
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4959 Infineon Technologies IRFS31N20DTRL в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D2PAK
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 18A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2370 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 31A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRFS31N20DTRL DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRFS31N20DTRL

Связанные детали для IRFS31N20DTRL