Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFH6200TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH6200TR2PBF

Номер детали производителя IRFH6200TR2PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
Упаковка 8-PQFN (5x6)
В наличии 4926 pcs
Техническая спецификация Part Number GuidePQFN 5x6 RoHS ComplianceMosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013Multiple Devices 13/Nov/2013
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4926 Infineon Technologies IRFH6200TR2PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.1V @ 150µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-PQFN (5x6)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.95mOhm @ 50A, 10V
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Cut Tape (CT)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 10890 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 230 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 49A (Ta), 100A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRFH6200TR2PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRFH6200TR2PBF

Связанные детали для IRFH6200TR2PBF