Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFH5220TRPBF
Infineon Technologies

IRFH5220TRPBF

Номер детали производителя IRFH5220TRPBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFN
Упаковка PQFN (5x6)
В наличии 4903 pcs
Техническая спецификация Package Drawing Update 19/Aug/2015Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013PQFN 5x6 RoHS ComplianceMulti Mosfet EOL 2/Mar/2016
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4903 Infineon Technologies IRFH5220TRPBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PQFN (5x6)
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99.9mOhm @ 5.8A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Упаковка / 8-VQFN Exposed Pad
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1380 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3.8A (Ta), 20A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRFH5220TRPBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRFH5220TRPBF

Связанные детали для IRFH5220TRPBF