Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFH5010TRPBF
Infineon Technologies

IRFH5010TRPBF

Номер детали производителя IRFH5010TRPBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Упаковка 8-PQFN (5x6)
В наличии 6559 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021Mult Dev Label Chgs Aug/2020Packing Material Update 16/Sep/2016PQFN 5x6 RoHS CompliancePackage Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev EOL 9/Nov/2022Product Assembly Notification 10/Feb/2015
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6559 Infineon Technologies IRFH5010TRPBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 150µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-PQFN (5x6)
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.6W (Ta), 250W (Tc)
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4340 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 98 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 13A (Ta), 100A (Tc)
Базовый номер продукта IRFH5010

Рекомендуемые продукты

IRFH5010TRPBF DataSheet PDF

Техническая спецификация