Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFH3707TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH3707TR2PBF

Номер детали производителя IRFH3707TR2PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Упаковка 8-PQFN (3x3)
В наличии 5971 pcs
Техническая спецификация Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013Multiple Devices 13/Nov/2013
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5971 Infineon Technologies IRFH3707TR2PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-PQFN (3x3)
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4mOhm @ 12A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.8W (Ta)
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 755 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 8.1 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12A (Ta), 29A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRFH3707TR2PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRFH3707TR2PBF

Связанные детали для IRFH3707TR2PBF