Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFB5615PBFXKMA1
Infineon Technologies

IRFB5615PBFXKMA1

Номер детали производителя IRFB5615PBFXKMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH
Упаковка TO-220AB
В наличии 4445 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4445 Infineon Technologies IRFB5615PBFXKMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 21A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 144W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1750 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 150 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 35A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRFB5615PBFXKMA1 DataSheet PDF

Ключевые слова для IRFB5615PBFXKMA1

Связанные детали для IRFB5615PBFXKMA1