Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFB4233PBF
IRFB4233PBF Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRFB4233PBF

Номер детали производителя IRFB4233PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 230V 56A TO220AB
Упаковка TO-220AB
В наличии 3885 pcs
Техническая спецификация IRFB4233PBFIR Part Numbering SystemGen 10.1 Devices 12/Sept/2012
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 3885 Infineon Technologies IRFB4233PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220AB
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 28A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 370W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5510 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 230 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 56A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRFB4233PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRFB4233PBF

Связанные детали для IRFB4233PBF