Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF7807VD1
IRF7807VD1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRF7807VD1

Номер детали производителя IRF7807VD1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Упаковка 8-SO
В наличии 6568 pcs
Техническая спецификация IRF7807VD1IR Part Numbering SystemEOL122B 02/Oct/2007
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6568 Infineon Technologies IRF7807VD1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SO
Серии FETKY™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.5W (Ta)
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика Schottky Diode (Isolated)
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8.3A (Ta)

Рекомендуемые продукты

IRF7807VD1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRF7807VD1

Связанные детали для IRF7807VD1