Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF7807PBF
IRF7807PBF Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRF7807PBF

Номер детали производителя IRF7807PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Упаковка 8-SO
В наличии 6325 pcs
Техническая спецификация Pkg Type Disc 16/May/2016IR Part Numbering System
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6325 Infineon Technologies IRF7807PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (макс.) ±12V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SO
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.5W (Tc)
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка Tube
Тип установки Surface Mount
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 17 nC @ 5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8.3A (Ta)

Рекомендуемые продукты

IRF7807PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRF7807PBF

Связанные детали для IRF7807PBF