Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF7799L2TR1PBF
Infineon Technologies

IRF7799L2TR1PBF

Номер детали производителя IRF7799L2TR1PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
Упаковка DirectFET™ Isometric L8
В наличии 4779 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices 20/Dec/2013IR Part Numbering SystemGen 10.7 DirectFET Fab Transfer 07/Nov/2013
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4779 Infineon Technologies IRF7799L2TR1PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства DirectFET™ Isometric L8
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 21A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 4.3W (Ta), 125W (Tc)
Упаковка / DirectFET™ Isometric L8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 6714 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 165 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 250 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 375A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRF7799L2TR1PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRF7799L2TR1PBF

Связанные детали для IRF7799L2TR1PBF