Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > IRF7755GTRPBF
IRF7755GTRPBF Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRF7755GTRPBF

Номер детали производителя IRF7755GTRPBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP
Упаковка 8-TSSOP
В наличии 5170 pcs
Техническая спецификация IRF7755GPBFIR Part Numbering SystemGen 8 Rev2 08/Jul/2011
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5170 Infineon Technologies IRF7755GTRPBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-TSSOP
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 51mOhm @ 3.7A, 4.5V
Мощность - Макс 1W
Упаковка / 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Упаковка Cut Tape (CT)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1090pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 17nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3.9A
конфигурация 2 P-Channel (Dual)
Базовый номер продукта IRF775

Рекомендуемые продукты

IRF7755GTRPBF DataSheet PDF

Техническая спецификация