Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF6708S2TR1PBF
Infineon Technologies

IRF6708S2TR1PBF

Номер детали производителя IRF6708S2TR1PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET S1
Упаковка DirectFET™ Isometric S1
В наличии 5732 pcs
Техническая спецификация IRF6708S2TR(1)PBFGen 10.x Products 12/Dec/2012IR Part Numbering System
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5732 Infineon Technologies IRF6708S2TR1PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства DirectFET™ Isometric S1
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 13A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.5W (Ta), 20W (Tc)
Упаковка / DirectFET™ Isometric S1
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1010 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 13A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRF6708S2TR1PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация