Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF6665TR1PBF
Infineon Technologies

IRF6665TR1PBF

Номер детали производителя IRF6665TR1PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Упаковка DIRECTFET™ SH
В наличии 4466 pcs
Техническая спецификация IR Part Numbering SystemMultiple Devices 20/Dec/2013MSL Update 20/Feb/2014Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4466 Infineon Technologies IRF6665TR1PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства DIRECTFET™ SH
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Упаковка / DirectFET™ Isometric SH
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 530 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.2A (Ta), 19A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRF6665TR1PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRF6665TR1PBF

Связанные детали для IRF6665TR1PBF