Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > IRF40H233ATMA1
Infineon Technologies

IRF40H233ATMA1

Номер детали производителя IRF40H233ATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 40V 35A 8PQFN
Упаковка PG-TDSON-8-4
В наличии 133031 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1
$0.307
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 133031 Infineon Technologies IRF40H233ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.9V @ 50µA
Поставщик Упаковка устройства PG-TDSON-8-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 35A, 10V
Мощность - Макс 3.8W (Ta), 50W (Tc)
Упаковка / 8-PowerVDFN
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Свойства продукта Значение атрибута
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2200pF @ 20V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 57nC @ 10V
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
FET Характеристика Standard
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 65A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRF40H233ATMA1 DataSheet PDF

Ключевые слова для IRF40H233ATMA1

Связанные детали для IRF40H233ATMA1