Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF3808LPBF
Infineon Technologies

IRF3808LPBF

Номер детали производителя IRF3808LPBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 75V 106A TO262
Упаковка TO-262
В наличии 5325 pcs
Техническая спецификация IR Part Numbering System
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5325 Infineon Technologies IRF3808LPBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-262
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 82A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 200W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5310 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 220 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 75 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 106A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRF3808LPBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRF3808LPBF

Связанные детали для IRF3808LPBF