Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF3205STRR
IRF3205STRR Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRF3205STRR

Номер детали производителя IRF3205STRR
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Упаковка D2PAK
В наличии 4040 pcs
Техническая спецификация IR Part Numbering SystemIRF3205S/L
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4040 Infineon Technologies IRF3205STRR в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D2PAK
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 62A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 200W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3247 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 146 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 55 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 110A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRF3205STRR DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRF3205STRR

Связанные детали для IRF3205STRR