IRF2903ZLPBF

Номер детали производителя	IRF2903ZLPBF
производитель	Infineon Technologies
Подробное описание	MOSFET N-CH 30V 75A TO262
Упаковка	TO-262
В наличии	4340 pcs
Техническая спецификация	Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017 Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 IR Part Numbering System Multiple Devices 25/Apr/2014

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4340 Infineon Technologies IRF2903ZLPBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4V @ 150µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	TO-262
Серии	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4mOhm @ 75A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	231W (Tc)
Упаковка /	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка	Tube

Свойства продукта	Значение атрибута
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки	Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	6320 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	240 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	75A (Tc)