Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IQE050N08NM5SCATMA1
Infineon Technologies

IQE050N08NM5SCATMA1

Номер детали производителя IQE050N08NM5SCATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Упаковка PG-WHSON-8-1
В наличии 66858 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$1.235 $1.108 $0.908 $0.773 $0.652 $0.619
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 66858 Infineon Technologies IQE050N08NM5SCATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.8V @ 49µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-WHSON-8-1
Серии OptiMOS™ 5
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Упаковка / 8-PowerWDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2900 pF @ 40 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 44 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 80 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 16A (Ta), 99A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IQE050N08NM5SCATMA1 DataSheet PDF

Ключевые слова для IQE050N08NM5SCATMA1

Связанные детали для IQE050N08NM5SCATMA1