IQE013N04LM6SCATMA1
| Номер детали производителя | IQE013N04LM6SCATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET |
| Упаковка | PG-WHSON-8-1 |
| В наличии | 66523 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.153 | $1.034 | $0.831 | $0.683 | $0.566 | $0.527 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 66523 Infineon Technologies IQE013N04LM6SCATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 51µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-WHSON-8-1 |
| Серии | OptiMOS™ 6 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Ta), 107W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerWDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3800 pF @ 20 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 31A (Ta), 205A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
IQE006NE2LM5SCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE006NE2LM5CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE022N06LM5CGSCATMA1
OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60VInfineon Technologies -
IQE022N06LM5SCATMA1
OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60VInfineon Technologies -
IQE022N06LM5CGATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IQE013N04LM6CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE046N08LM5CGATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IQE008N03LM5CGATMA1
TRENCH <= 40V PG-TTFN-9Infineon Technologies -
IQE006NE2LM5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSONInfineon Technologies -
IQE022N06LM5ATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IQE046N08LM5ATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IQE030N06NM5CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE013N04LM6CGATMA1
40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3Infineon Technologies -
IQE006NE2LM5CGATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A/298A IPAKInfineon Technologies -
IQE030N06NM5CGATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9Infineon Technologies -
IQE030N06NM5SCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE030N06NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8Infineon Technologies -
IQE008N03LM5ATMA1
TRENCH <= 40V PG-TSON-8Infineon Technologies -
IQE013N04LM6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSONInfineon Technologies -
IQE046N08LM5CGSCATMA1
OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60VInfineon Technologies